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Circuito integrado de LMV358IDR SOIC-8 CI novo e original

Circuito integrado de LMV358IDR SOIC-8 CI novo e original

Circuito integrado de LMV358IDR CI

Microplaqueta de LMV358IDR CI

Microplaqueta do circuito integrado de LMV358IDR

Lugar de origem:

original

Marca:

TI

Número do modelo:

LMV358IDR

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Detalhes do produto
qualidade::
Não utilizado brandnew
Pacote/caixa::
SOIC-8
Termos do pagamento & do transporte
Quantidade de ordem mínima
1PCS
Preço
Negotiate
Detalhes da embalagem
2500
Tempo de entrega
3
Conservado em estoque
8000+
Habilidade da fonte
12450pcs
Descrição do produto

ISO9001.pdf

LMV358IDR é um circuito integrado de duplo canal, de baixa voltagem do amplificador operacional (op-ampère) (IC) fabricado por Texas Instruments. É projetado operar-se com uma única tensão de fonte, fornecendo o balanço da entrada do trilho-à-trilho e da saída uma tensão do offset da entrada do ponto baixo.

Aplicações:

Amplificadores audio e pré-amplificadores.
Amplificadores do sensor.
Circuitos do acondicionamento de sinal.
Filtros ativos.
osciladores Tensão-controlados.
Características:

Op-ampères independentes duplos em um único pacote.
Escala de tensão de entrada larga: 2.7V a 5.5V.
balanço da entrada e da saída do Trilho-à-trilho.
Consumo da baixa potência: 0,5 miliampères pelo canal.
Relação de rejeção alta do comum-modo (CMRR): DB 70.
O ponto baixo entrou a tensão deslocada: 1 milivolt.
estábulo do Unidade-ganho.
Proteção do ESD: 2 quilovolts (modelo do corpo humano).
Parâmetros:

Escala de tensão entrada: 2.7V a 5.5V.
Escala da tensão da saída: 0V a VCC.
Variação da temperatura de funcionamento: -40°C a 125°C.
Produto da largura de banda do ganho: 1 megahertz.
Taxa de pântano: 0,5 V/μs.
Tensão deslocada entrada: 1 milivolt.
Corrente deslocada entrada: nA 10.
Empacotamento: SOIC-8.

UE RoHS Complacente
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
HTS 8542.33.00.01
SVHC Sim
Automotivo Não
PPAP Não
Tipo Amplificador da baixa tensão
Fabricante Type Amplificador da baixa tensão
Número de canais pela microplaqueta 2
Trilho a cercar Trilho para cercar a saída
Tipo da saída CMOS
O máximo entrou a tensão deslocada (o milivolt) 7@5V
Única tensão de fonte mínima (v) 2,7
Única tensão de fonte máxima (v) 5,5
Corrente deslocada entrada máximo (A) 0.05@5V
Corrente diagonal entrada típica (A) 0.015@5V
Corrente diagonal entrada máximo (A) 0.25@5V
Corrente máxima da fonte (miliampère) 0.44@5V
Corrente de saída típica (miliampère) 60
Tipo da fonte de alimentação Único
Taxa de pântano típica (V/us) 1@5V
Densidade entrada típica da tensão do ruído (nV/rtHz) 39@5V
Ganho típico da tensão (DB) 100
Densidade atual entrada típica do ruído de Noninverting (pA/rtHz) 0.21@5V
CMRR mínimo (DB) 50
Escala mínima de CMRR (DB) 50 a 60
Produto típico da largura de banda do ganho (megahertz) 1
Apoio interrompido Não
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -40
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 125
Empacotamento Fita e carretel
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 1,5 (máximo)
Largura do pacote 3,98 (máximo)
Comprimento do pacote 5 (máximo)
O PWB mudou 8
Nome do pacote padrão ASSIM
Pacote do fornecedor SOIC
Pin Count 8
Forma da ligação Gaivota-asa

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