Lugar de origem:
Original
Marca:
INFINEON
Número do modelo:
IPD25CN10N3G
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Aplicação:
IPD25CN10N3G é um MOSFET do N-canal apropriado para aplicações de comutação do poder eficiente, baixo da resistência tais como conversores de DC-DC, gestão do poder, fontes de alimentação da plataforma, etc.
Conclusão:
IPD25CN10N3G tem excelente e fora de capacidades, permitindo o poder eficiente que comuta em altas frequências. Suas baixa resistência da condução e baixa perda de comutação podem eficazmente reduzir o consumo de potência e a elevação da temperatura, para melhorar a eficiência de sistema e a confiança.
Parâmetros:
Tensão avaliado: 100V
Corrente máxima do dreno: 25A
Drene a resistência da fonte: 3.3m Ω
Tempo de comutação típico: 20ns
Tempo típico da condução: 9.5ns
Tensão estática da condução: 1.8V
Empacotamento: TO-252 (DPAK)
Empacotamento:
O IPD25CN10N3G adota TO-252 (DPAK) que empacota, que tem as vantagens do bom desempenho da dissipação de calor e da instalação fácil, fazendo o apropriado para o uso em aplicações limitadas da densidade do espaço e de poder superior.
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