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Casa > Produtos > circuito integrado do CI >
IPD320N20N3G IC Circuito integrado TO-252

IPD320N20N3G IC Circuito integrado TO-252

Circuito integrado IPD320N20N3G Ic

Circuito integrado de TO-252 CI

Chip de circuito integrado IPD320N20N3G

Lugar de origem:

Original

Marca:

INFINEON

Número do modelo:

IPD320N20N3G

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IPD320N20N3G IC Circuito integrado TO-252
IPD320N20N3G IC Circuito integrado TO-252 IPD320N20N3G IC Circuito integrado TO-252
Detalhes do produto
qualidade::
Não utilizado brandnew
Pacote/caixa::
TO-252
Termos do pagamento & do transporte
Quantidade de ordem mínima
1PCS
Preço
Negotiate
Detalhes da embalagem
4000
Tempo de entrega
3
Conservado em estoque
8000+
Termos de pagamento
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte
97830pcs
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Descrição do produto

ISO9001.pdf

Aplicação: IPD320N20N3G é um transistor MOSFET de canal N usado para conversores DC-DC de alta eficiência e aplicações de inversores.com baixa resistência de condução e alta velocidade de comutação.
Conclusão: o IPD320N20N3G possui as características de alta eficiência, alta tensão e baixa resistência de condução, tornando-o adequado para conversores e inversores de CC-DC de alta potência.Pode melhorar a eficiência energética do sistema, reduz a perda de energia e tem uma vida útil mais longa.
Parâmetros:
Vds (máximo) = 200V (tensão máxima de resistência)
Id=320A (corrente máxima de escoamento)
Rds (on) = 3,3m Ω (resistência de condução)
Qg=230nC (carga da porta)
Vgs (th) = 4V (voltagem limite da porta)
Ciss=12300pF (capacidade de entrada)
Coss=1170pF (capacidade de saída)
Crss=570pF (capacidade de transmissão reversa)

Especificações técnicas do produto
RoHS da UE Compatível com a isenção聽
ECCN (EUA) EAR99
Estatuto da parte Não confirmado
SVHC - Sim, sim.
SVHC excede o limiar - Sim, sim.
Automóveis - Não, não.
PPAP - Não, não.
Categoria de produtos MOSFET de potência
Configuração Solteiro
Tecnologia de processo OptiMOS 3
Modo de canal Reforço
Tipo de canal N
Número de elementos por chip 1
Voltagem máxima da fonte de escoamento (V) 200
Voltagem máxima da fonte da porta (V) ¥20
Voltagem de limiar de entrada máxima (V) 4
Temperatura de funcionamento da junção ( capturadoC) - 55 a 175
Corrente de escoamento contínua máxima (A) 34
Corrente máxima de fuga da fonte da porta (nA) 100
IDSS máximo (uA) 1
Resistência máxima da fonte de drenagem (MOhm) 32@10V
Carga típica da porta @ Vgs (nC) 22@10V
Carga típica da porta @ 10V (nC) 22
Carga típica de saída para escoamento (nC) 3
Carga típica de entrada para a fonte (nC) 8
Taxa de recuperação reversa típica (nC) 500
Carga típica do interruptor (nC) 5
Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) 1770@100V
Capacidade de transferência reversa típica @ Vds (pF) 4@100V
Tensão mínima de limiar de entrada (V) 2
Capacidade de saída típica (pF) 135
Dissipação máxima de potência (mW) 136000
Tempo (s) típico (s) de queda 4
Tempo (s) típico (s) de subida 9
Tempo (s) de atraso típico de desligamento 21
Tempo (s) típico (s) de atraso da ligação 11
Temperatura mínima de funcionamento ( capturadoC) - 55
Temperatura máxima de funcionamento ( capturasC) 175
Embalagem fita e bobina
Corrente máxima de escoamento pulsado @ TC=25 capturasC (A) 136
Resistência térmica ambiente máxima de junção em PCB ( capturas C/W) 50
Voltagem de diodo para a frente típica (V) 0.9
Voltagem típica do planalto da porta (V) 4.4
Tempo (s) típico (s) de recuperação inversa 110
Voltagem máxima do diodo para a frente (V) 1.2
Voltagem de limiar típica da porta (V) 3
Voltagem máxima da fonte da porta positiva (V) 20
Instalação Montagem de superfície
Altura da embalagem 2.41 (Max)
Largura do pacote 6.22 (máximo)
Duração do pacote 6.73 (max)
PCB alterado 2
Tabela Tabela
Nome padrão do pacote TO-252
Pacote do fornecedor DPAK
Contagem de alfinetes 3
Forma do chumbo Aves-do-mar
Tag：

Circuito integrado de XILINX CI

MICROPLAQUETA do circuito integrado do CI

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